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                車規(guī)分立器件MOSFET AEC-Q101認(rèn)證機(jī)構(gòu)

                文章來源 : 廣東優(yōu)科檢測 發(fā)表時間:2025-06-24 瀏覽數(shù)量:

                MOSFET AEC-Q101認(rèn)證服務(wù)介紹

                優(yōu)科檢測認(rèn)證是一家專業(yè)的第三方AEC-Q101認(rèn)證測試機(jī)構(gòu),具備汽車電子委員會(AEC)制定的AEC-Q101標(biāo)準(zhǔn)CNAS全項(xiàng)檢測資質(zhì)和檢測能力,為二極管、TVS管、MOSFET、IGBT等分立半導(dǎo)體器件提供一站式AEC-Q101認(rèn)證測試服務(wù)。

                我們的實(shí)驗(yàn)室配備高溫高濕試驗(yàn)箱、高加速壽命試驗(yàn)系統(tǒng)(HALT)、振動沖擊測試臺、ESD測試儀等多種先進(jìn)設(shè)備,能夠覆蓋AEC-Q101標(biāo)準(zhǔn)中所有環(huán)境應(yīng)力實(shí)驗(yàn)、參數(shù)驗(yàn)證和工藝質(zhì)量評價項(xiàng)目。


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                車規(guī)分立器件MOSFET AEC-Q101認(rèn)證的目的及必要性

                車規(guī)級MOSFET需要在高溫、潮濕、振動、電壓沖擊等極端環(huán)境下長期穩(wěn)定運(yùn)行,未經(jīng)可靠性認(rèn)證的器件可能引發(fā)功率開關(guān)失效、短路、擊穿等隱患,甚至造成整車系統(tǒng)癱瘓。

                AEC-Q101認(rèn)證以失效機(jī)理為基礎(chǔ),通過嚴(yán)苛的環(huán)境應(yīng)力和電性能測試,確保車規(guī)分立半導(dǎo)體器件具備高可靠性和一致性,為汽車制造商提供統(tǒng)一的質(zhì)量準(zhǔn)入門檻。


                車規(guī)分立器件MOSFET AEC-Q101認(rèn)證標(biāo)準(zhǔn)

                AEC-Q101全稱“Failure Mechanism Based Stress Test Qualification for Discrete Semiconductors in Automotive Applications”,最新Rev E版本于2021年3月發(fā)布,共涵蓋37項(xiàng)測試,根據(jù)器件類型和封裝形式分為五大組:

                1. 組A 加速環(huán)境應(yīng)力試驗(yàn)(如HAST、H3TRB、UHAST、高壓蒸煮等)

                2. 組B 加速壽命模擬測試(如高溫工作壽命、溫度循環(huán)、電壓循環(huán)等)

                3. 組C 封裝結(jié)構(gòu)完整性測試(如氣密性、振動、沖擊等)

                4. 組D 芯片制造可靠性測試(如參數(shù)驗(yàn)證、功率溫度循環(huán)、雪崩耐量、短路可靠性等)

                5. 組E 電氣特性確認(rèn)測試(如ESD、DPA、端子強(qiáng)度、可焊性、耐焊接熱試驗(yàn)等)


                車規(guī)分立器件MOSFET AEC-Q101認(rèn)證測試實(shí)驗(yàn)室


                車規(guī)分立器件MOSFET AEC-Q101認(rèn)證檢測項(xiàng)目及要求

                以下列舉MOSFET認(rèn)證中的典型測試項(xiàng)目及其關(guān)鍵要求:

                1. 高加速應(yīng)力測試(HAST)

                - 標(biāo)準(zhǔn):JESD22 A-110

                - 條件:Ta=130 °C、RH=85%、V\_DS=96 V(G-S短接)、96 小時


                2. 高溫高濕反向偏壓(H3TRB)

                - 標(biāo)準(zhǔn):JESD22 A-101

                - 條件:Ta=85 °C、RH=85%、V\_DS=80% 額定電壓、1000 小時


                3. 溫度循環(huán)測試(TC)

                - 標(biāo)準(zhǔn):JESD22 A-104

                - 條件:-55 °C至150 °C循環(huán)500 次,功率循環(huán)評估


                4. 雪崩耐量測試(SOA)

                - 評估擊穿電壓及雪崩能量承受能力,確保短路及瞬態(tài)過壓情況下的穩(wěn)定性


                5. ESD和HBM測試

                - 標(biāo)準(zhǔn):ANSI/ESDA/JEDEC JS-001

                - 要求:±2 kV接觸放電、±4 kV空氣放電

                更多項(xiàng)目及詳細(xì)條件,請聯(lián)系優(yōu)科檢測獲取完整測試手冊。


                車規(guī)分立器件MOSFET AEC-Q101認(rèn)證測試機(jī)構(gòu)


                車規(guī)分立器件MOSFET AEC-Q101認(rèn)證測試報告辦理流程

                1. 咨詢下單:客戶提供樣品參數(shù)、型號及檢測需求;我司出具測試方案及報價。

                2. 協(xié)議簽訂:雙方確認(rèn)測試項(xiàng)目、時間節(jié)點(diǎn)及報告格式后簽訂服務(wù)合同。

                3. 樣品寄送:客戶將樣品寄至我司實(shí)驗(yàn)室,確保樣品完好。

                4. 方案執(zhí)行:按照AEC-Q101標(biāo)準(zhǔn)執(zhí)行項(xiàng)目測試。

                5. 數(shù)據(jù)分析:測試完成后,工程師對所有數(shù)據(jù)進(jìn)行整理、對比與評估。

                6. 報告發(fā)放:出具CNAS測試報告,報告內(nèi)附測試數(shù)據(jù)、判定準(zhǔn)則及結(jié)論。

                7. 后續(xù)支持:提供技術(shù)解讀與問題咨詢,必要時可安排復(fù)測或方案優(yōu)化建議。


                通過上述流程,確保認(rèn)證測試全過程透明、高效,幫助客戶快速通過車規(guī)級MOSFET AEC-Q101認(rèn)證準(zhǔn)入。


                微信咨詢檢測認(rèn)證業(yè)務(wù)

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