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文章來源 : 廣東優(yōu)科檢測 發(fā)表時間：2025-04-08 瀏覽數(shù)量：
AEC-Q101是由汽車電子委員會制定的車規(guī)級分立半導體器件可靠性驗證標準，涵蓋二極管、晶體管、MOSFET、IGBT等關鍵元器件認證。作為國內少數(shù)具備CNAS全項檢測資質與CNCA發(fā)證能力的第三方AEC-Q101檢測實驗室，我們構建了符合ISO/IEC 17025體系的車規(guī)級檢測平臺，可提供從測試方案設計到認證報告交付的一站式服務。
認證體系包含7大類32項嚴苛測試：
1. 環(huán)境可靠性試驗：溫度循環(huán)（-55℃~150℃）、高壓蒸煮（121℃/100%RH）；
2. 壽命加速試驗：高溫反向偏置（HTRB）、高溫柵極偏置（HTGB）；
3. 機械應力測試：振動（20~2000Hz）、機械沖擊（1500g）；
4. 電氣特性驗證：雪崩能量測試、熱阻測量（RθJA）；
5. 失效模式分析：開封檢查、掃描電鏡（SEM）分析。
難點1：極端條件模擬
- 溫度沖擊測試要求溫變速率＞40℃/min，需定制液氮快速溫變箱。
- 功率循環(huán)測試需精確控制△Tj=100K的結溫波動。
難點2：數(shù)據(jù)采集復雜性
- MOSFET的RDS(on)參數(shù)測量需在脈沖寬度＜300μs條件下完成。
- IGBT模塊測試需同步采集VCE(sat)、Eoff等動態(tài)參數(shù)。
難點3：失效機理判定
- 靜電損傷（ESD）與閂鎖效應（Latch-up）需通過EBIC檢測定位失效點。
- 金屬遷移失效需結合FIB切片與EDS元素分析。
難點4：測試周期控制
- HTOL壽命試驗持續(xù)1000小時以上。
- 溫濕度組合測試需進行1000次循環(huán)。
難點5：標準動態(tài)更新
- 2023版新增SiC器件雙脈沖測試要求。
- TVS管新增UIS（非鉗位電感開關）測試項。
AEC-Q101認證適用于汽車電子系統(tǒng)關鍵器件：
- 功率器件：SiC MOSFET、IGBT模塊
- 保護器件：TVS二極管、穩(wěn)壓管
- 驅動器件：達林頓晶體管、光耦
- 傳感器件：霍爾元件、溫度傳感器
1. 確定溫度等級：根據(jù)器件的應用環(huán)境選擇合適的溫度等級。
2. 選擇測試項目：根據(jù)器件類型和封裝形式，選擇需要進行的環(huán)境應力實驗和性能測試項目。
3. 進行測試：完成選定的測試項目，記錄測試結果。
4. 數(shù)據(jù)分析：對測試數(shù)據(jù)進行分析和處理，確保所有測試結果符合AEC-Q101標準的要求。
5. 認證報告：通過測試后，實驗室出具AEC-Q101認證CNAS測試報告，證明器件符合標準。
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