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文章來源 : 廣東優(yōu)科檢測 發(fā)表時間：2023-06-09 瀏覽數(shù)量：
高溫反偏試驗是模擬器件在靜態(tài)或穩(wěn)態(tài)工作模式下，以最高反偏電壓或指定反偏電壓進行工作，以研究偏置條件和溫度隨時間對器件的壽命模擬。甚至一些廠商還會將其作為一篩或二篩的核心試驗。
分立器件的高溫反偏主要采用的試驗標準有MIL-STD-750 方法1038、JESD22-A108、GJB 128A-1997 方法1038、AEC-Q101表2 B1項等。
各類標準從試驗溫度、反偏電壓電參數(shù)測試均做出了明確的定義，而試驗方法、原理均差別不大，其中，以車規(guī)的要求最為嚴苛，在模擬最高結(jié)溫工作狀態(tài)下，100%的反偏電壓下運行1000h。
對于SiC功率器件而言，其最大額定結(jié)溫普遍在175℃以上，而反偏電壓已超過650V，更高的溫度、更強的電場加速鈍化層中可移動離子或雜質(zhì)的擴散遷移，從而提前發(fā)現(xiàn)器件異常，較大程度地驗證器件的可靠性。
| 標準 | 試驗溫度 | 試驗電壓 | 試驗時長 |
| MIL-STD-750-1 M1038 | 150℃ | 80%×BV | 160小時 以上 |
| AEC-Q101 | Tjmax （175℃） | 100%×BV | 1000小時 以上 |
Si基的二極管高溫漏電流一般在1~100μA，而SiC二極管高溫反偏試驗過程漏電流通常比較小，為0.1~10μA級別。如果器件存在缺陷，漏電還會隨著時間的推移而逐漸上升。這需要有實時的、較高精度的漏電監(jiān)控系統(tǒng)，提供整個試驗周期漏電流的監(jiān)控數(shù)據(jù)以觀察器件的試驗狀態(tài)。
高溫反偏試驗主要考察器件的材料、結(jié)構(gòu)、封裝可靠性，可反映出器件邊緣終端、鈍化層、鍵合（interconnect）等結(jié)構(gòu)的弱點或退化效應(yīng)。
因此，功率器件是否能通過高溫反偏試驗，應(yīng)從產(chǎn)品設(shè)計階段考慮風險，綜合考量電場、高溫對材料、結(jié)構(gòu)、鈍化層的老化影響。以實際應(yīng)用環(huán)境因素要求一體化管控材料選型、結(jié)構(gòu)搭建設(shè)計，提升良品率。
優(yōu)科檢測擁有完整的車規(guī)級功率半導體AEC-Q101認證能力，可針對不同產(chǎn)品定制高溫反偏試驗，同時為大漏電流產(chǎn)品提供高溫反偏下結(jié)溫測量方案，幫助多個客戶獲得相關(guān)可靠性認證報告。
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