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                薄膜電容AEC-Q200認(rèn)證測(cè)試項(xiàng)目及要求

                文章來(lái)源 : 廣東優(yōu)科檢測(cè) 發(fā)表時(shí)間:2021-11-15 瀏覽數(shù)量:

                AEC-Q200 REV D標(biāo)準(zhǔn)總共有14個(gè)表格,除表1列出通用測(cè)試的要求外,從表 2~14分別列出不同類(lèi)型無(wú)源器件的測(cè)試方案和要求。薄膜電容AEC-Q200認(rèn)證測(cè)試依據(jù)Table 4表格進(jìn)行測(cè)試,廣東優(yōu)科檢測(cè)具備AEC-Q200全項(xiàng)CNAS檢測(cè)資質(zhì)和檢測(cè)能力,可提供薄膜電容AEC-Q200認(rèn)證測(cè)試服務(wù),接下來(lái)為大家介紹下薄膜電容AEC-Q200認(rèn)證測(cè)試項(xiàng)目及要求。


                薄膜電容AEC-Q200認(rèn)證測(cè)試


                薄膜電容AEC-Q200認(rèn)證測(cè)試項(xiàng)目及要求

                1. High Temperature Exposure (Storage) 高溫存儲(chǔ)

                測(cè)試方法:MIL-STD-202 Method 108;

                測(cè)試要求:1000小時(shí)。在額定工作溫度下(例如,85°C的零件可在85°C下儲(chǔ)存1000小時(shí),同樣適用于100°C和125°C的零件),不通電。試驗(yàn)結(jié)束后24±4小時(shí)進(jìn)行測(cè)量。


                2. Temperature Cycling 溫度循環(huán)

                測(cè)試方法:JES D22 Method JA-104;

                測(cè)試要求:1000次循環(huán)(-55°C至85°C)注:如果部分溫度為100°C或125°C,則1000次循環(huán)將處于該額定溫度。試驗(yàn)結(jié)束后24±4小時(shí)進(jìn)行測(cè)量。每個(gè)極端溫度下的最大停留時(shí)間為30分鐘。1分鐘,最大過(guò)渡時(shí)間。


                3. Moisture Resistance 濕度抵抗

                測(cè)試方法:MIL-STD-202 Method 106;

                測(cè)試要求:t=24小時(shí)/周期。注:不需要步驟7a和7b,不通電。試驗(yàn)結(jié)束后24±4小時(shí)進(jìn)行測(cè)量。


                4. Biased Humidity 偏高濕度

                測(cè)試方法:MIL-STD-202 Method 103;

                測(cè)試要求:1000小時(shí)40°C/93%相對(duì)濕度,額定電壓。試驗(yàn)結(jié)束后24±4小時(shí)進(jìn)行測(cè)量。


                5. Operational Life 工作壽命

                測(cè)試方法:MIL-STD-202 Method 108;

                測(cè)試要求:1000小時(shí)TA=85°C,注:如果100°C或125°C為1000小時(shí),則條件D(1000小時(shí))。會(huì)在那個(gè)溫度下。金屬化膜:85℃時(shí)為額定電壓的125%。85℃以上為額定電壓的100%。試驗(yàn)結(jié)束后24±4小時(shí)進(jìn)行測(cè)量。


                6. External Visual 外觀

                測(cè)試方法:MIL-STD-883 Method 2009;

                測(cè)試要求:檢查產(chǎn)品結(jié)構(gòu)、標(biāo)記和工藝。不需要進(jìn)行電氣測(cè)試。


                7. Physical Dimension 尺寸

                測(cè)試方法:JESD22 Method JB-100;

                測(cè)試要求:驗(yàn)證物理尺寸是否符合適用的產(chǎn)品規(guī)范。注:用戶(hù)和供應(yīng)商規(guī)范。不需要進(jìn)行電氣測(cè)試。


                8. Terminal Strength (Leaded) 端子強(qiáng)度(引腳)

                測(cè)試方法:MIL-STD-202 Method 211;

                測(cè)試要求:僅測(cè)試引線設(shè)備的引線完整性。條件: A (2.27 kg), C (227 g), E (1.45 kg-mm)。


                9. Resistance to Solvents 溶劑抵抗

                測(cè)試方法:MIL-STD-202 Method 215;

                測(cè)試要求:注:也可使用水性化學(xué)清洗劑-OKEM clean或同等產(chǎn)品。不要使用禁用溶劑。


                10. Mechanical Shock 機(jī)械沖擊

                測(cè)試方法:MIL-STD-202 Method 213;

                測(cè)試要求:方法213的圖1。條件C


                11. Vibration 振動(dòng)

                測(cè)試方法:MIL-STD-202 Method 204;

                測(cè)試要求:5克20分鐘,3個(gè)方向各12個(gè)周期,使用8“X5”P(pán)CB,.031”厚。8”一側(cè)有7個(gè)安全點(diǎn),另一側(cè)有2個(gè)安全點(diǎn)。安裝在距任何安全點(diǎn)2”范圍內(nèi)的零件。從10-2000赫茲進(jìn)行測(cè)試。


                12. Resistance to Soldering Heat 耐焊接熱

                測(cè)試方法:MIL-STD-202 Method 210;

                測(cè)試要求:注:SMD使用程序2;對(duì)于含鉛使用程序1,焊料在裝置主體1.5mm范圍內(nèi)。


                13. ESD 靜電放電

                測(cè)試方法:AEC-Q200-002 Or ISO/DIS10605。


                14. Solderability 可焊性

                測(cè)試方法:J-STD-002;

                測(cè)試要求:適用于含鉛和SMD。不需要進(jìn)行電氣測(cè)試。放大50倍。條件:含鉛:235°C時(shí)的方法A,第3類(lèi)。SMD: a)方法B,155°C干熱235°C下4小時(shí)

                b)215°C時(shí)的方法b第3類(lèi)。c)260°c時(shí)的方法D第3類(lèi)。


                15. Electrical Characterization 電氣特性

                測(cè)試方法:用戶(hù)規(guī)格;

                測(cè)試要求:按批次和樣品尺寸要求進(jìn)行參數(shù)化測(cè)試,總結(jié)以顯示室溫下的最小、最大、平均和標(biāo)準(zhǔn)偏差以及最小和最大工作溫度。


                16. Flammability 可燃性

                測(cè)試方法:UL-94;

                測(cè)試要求:可接受V-0或V-1。不需要進(jìn)行電氣測(cè)試。


                17. Board Flex 板彎曲

                測(cè)試方法:AEC-Q200-005;

                測(cè)試要求:最短保持時(shí)間為60秒。


                18. Terminal Strength (SMD) 端子強(qiáng)度(SMD)

                測(cè)試方法:AEC-Q200-006。


                薄膜電容AEC-Q200認(rèn)證測(cè)試


                薄膜電容AEC-Q200認(rèn)證測(cè)試注意事項(xiàng)

                1. 每個(gè)環(huán)境應(yīng)力測(cè)試項(xiàng)目前后都要進(jìn)行電參數(shù)測(cè)試,特別要求除外。

                2. 1000小時(shí)的長(zhǎng)時(shí)間老化測(cè)試會(huì)額外增加250,500,1000小時(shí)幾個(gè)階段。

                3. 一般電參數(shù)測(cè)試會(huì)是在室溫狀態(tài)(25±5 °C )下進(jìn)行,應(yīng)力測(cè)試完成后24±4小時(shí)內(nèi)進(jìn)行。

                4. No.15 電參數(shù)測(cè)試將會(huì)在宣稱(chēng)的低溫,室溫,高溫中進(jìn)行測(cè)試。

                5. 接受條件和要求參數(shù)依據(jù)客戶(hù)規(guī)格書(shū)進(jìn)行判定,AEC-Q200所有測(cè)試只接受零失敗。


                薄膜電容AEC-Q200認(rèn)證測(cè)試機(jī)構(gòu)


                以上就是關(guān)于薄膜電容AEC-Q200認(rèn)證測(cè)試項(xiàng)目及要求的介紹,如果您有鉭電容、陶瓷電容、鋁電解電容、薄膜電容、可調(diào)電容等電容器產(chǎn)品需要做AEC-Q200認(rèn)證測(cè)試,歡迎聯(lián)系廣東優(yōu)科檢測(cè)工程師!


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