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文章來(lái)源 : 廣東優(yōu)科檢測(cè) 發(fā)表時(shí)間：2019-07-30 瀏覽數(shù)量：
廣東優(yōu)科檢測(cè)是已獲得CNAS和CMA資質(zhì)認(rèn)可的第三方可靠性檢測(cè)機(jī)構(gòu)，擁有齊備的環(huán)境可靠性試驗(yàn)設(shè)備，可提供高低溫、溫度沖擊、恒溫恒濕、交變濕熱、鹽霧、振動(dòng)、沖擊、自由跌落、溫度/濕度/振動(dòng)等環(huán)境可靠性測(cè)試服務(wù)。
什么是高低溫試驗(yàn)測(cè)試？
高低溫試驗(yàn)測(cè)試是用來(lái)確定產(chǎn)品在高溫和低溫氣候環(huán)境條件下儲(chǔ)存、運(yùn)輸、使用的適應(yīng)性的方法。高低溫試驗(yàn)的嚴(yán)苛程度取決于高溫及低溫的溫度和曝露持續(xù)時(shí)間。廣東優(yōu)科檢測(cè)專業(yè)為各類電工電子設(shè)備長(zhǎng)期提供高溫放置和低溫放置第三方測(cè)試服務(wù)并出具國(guó)家認(rèn)可的檢測(cè)報(bào)告。
高低溫放置試驗(yàn)顧名思義即為高溫貯存和低溫貯存試驗(yàn)。廣東優(yōu)科檢測(cè)高低溫試驗(yàn)依據(jù)GB/T2423.1和GB/T2423.2標(biāo)準(zhǔn)進(jìn)行試驗(yàn)。
高溫貯存試驗(yàn)：電子設(shè)備擱置在溫度試驗(yàn)箱中，設(shè)備處于斷電狀態(tài)，高溫貯存結(jié)束后，進(jìn)行通電測(cè)試；
低溫貯存試驗(yàn)：電子設(shè)備擱置在溫度試驗(yàn)箱中，設(shè)備處于斷電狀態(tài)，低溫貯存結(jié)束后，進(jìn)行通電測(cè)試。
高低溫試驗(yàn)參考標(biāo)準(zhǔn)：
GB/T2423.1-2008試驗(yàn)A：低溫試驗(yàn)方法
GB/T2423.2-2008試驗(yàn)B：高溫試驗(yàn)方法
GB/T2423.22-2002試驗(yàn)N：溫度變化試驗(yàn)方法
高低溫試驗(yàn)測(cè)試流程：
1、在樣品斷電的狀態(tài)下，先將溫度下降到-50°C，保持4個(gè)小時(shí)；
PS：請(qǐng)勿在樣品通電的狀態(tài)下進(jìn)行低溫測(cè)試，非常重要，因?yàn)橥姞顟B(tài)下，芯片本身就會(huì)產(chǎn)生+20°C以上溫度，所以，在通電狀態(tài)下，通常比較容易通過低溫測(cè)試，必須先將其“凍透”，再次通電進(jìn)行測(cè)試。
2、開機(jī)，對(duì)樣品進(jìn)行性能測(cè)試，對(duì)比性能與常溫相比是否正常。
3、進(jìn)行老化測(cè)試，觀察是否有數(shù)據(jù)對(duì)比錯(cuò)誤。
4、升溫到+90°C，保持4個(gè)小時(shí)，與低溫測(cè)試相反，升溫過程不斷電，保持芯片內(nèi)部的溫度一直處于高溫狀態(tài)，4個(gè)小時(shí)后，執(zhí)行2、3、4測(cè)試步驟。
5、高溫和低溫測(cè)試分別重復(fù)10次。
如果測(cè)試過程出現(xiàn)任何一次不能正常工作的狀態(tài)，則視為測(cè)試失敗。
以上就是關(guān)于高低溫環(huán)境測(cè)試哪里可以做的介紹，如果您有產(chǎn)品需要做高低溫、溫度沖擊、恒溫恒濕、交變濕熱、鹽霧、振動(dòng)、沖擊、自由跌落、溫度/濕度/振動(dòng)等環(huán)境可靠性測(cè)試，歡迎聯(lián)系廣東優(yōu)科檢測(cè)工程師！
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