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                半導(dǎo)體分立器件二次篩選標(biāo)準(zhǔn)及方法(GJB 33A-1994解讀)

                文章來(lái)源 : 廣東優(yōu)科檢測(cè) 發(fā)表時(shí)間:2025-05-06 瀏覽數(shù)量:

                半導(dǎo)體分立器件二次篩選服務(wù)簡(jiǎn)介

                半導(dǎo)體分立器件二次篩選(補(bǔ)充篩選)是對(duì)已出廠元器件進(jìn)行的附加質(zhì)量檢測(cè)流程,旨在通過(guò)環(huán)境應(yīng)力、電性能測(cè)試等手段,剔除早期失效器件,確保其在高可靠性場(chǎng)景(如航空航天、軍工裝備)中的穩(wěn)定性和壽命。

                我司作為CNAS認(rèn)可的第三方電子元器件二次篩選機(jī)構(gòu),依據(jù)GJB 33A-1997《半導(dǎo)體分立器件總規(guī)范》及GJB 128A-1997《半導(dǎo)體分立器件試驗(yàn)方法》,提供覆蓋二極管、三極管、場(chǎng)效應(yīng)管等半導(dǎo)體分立器件二次篩選服務(wù),支持溫度循環(huán)、密封性檢測(cè)、電參數(shù)測(cè)試等20余項(xiàng)關(guān)鍵項(xiàng)目。


                半導(dǎo)體分立器件二次篩選


                電子元器件二次篩選的目的及原理

                目的:

                1. 提高可靠性:剔除因生產(chǎn)工藝缺陷、材料問(wèn)題導(dǎo)致的早期失效器件;

                2. 適配應(yīng)用環(huán)境:通過(guò)模擬極端溫度、振動(dòng)等條件,驗(yàn)證器件在復(fù)雜工況下的性能;

                3. 降本增效:減少因器件失效引發(fā)的整機(jī)故障,降低維修成本。


                原理:

                基于缺陷加速暴露理論,通過(guò)施加高溫、低溫、振動(dòng)等環(huán)境應(yīng)力,使?jié)撛谌毕菘焖亠@現(xiàn)。例如:

                - 溫度循環(huán):利用熱脹冷縮效應(yīng)暴露封裝裂紋;

                - PIND測(cè)試(顆粒碰撞噪聲檢測(cè)):識(shí)別內(nèi)部松動(dòng)顆粒;

                - 電參數(shù)測(cè)試:檢測(cè)擊穿電壓、飽和電流等關(guān)鍵指標(biāo)是否達(dá)標(biāo)。


                哪些半導(dǎo)體分立器件需要做二次篩選?

                根據(jù)GJB 33A-1997標(biāo)準(zhǔn),以下器件需進(jìn)行二次篩選:

                - 二極管(如整流二極管、穩(wěn)壓二極管)

                - 晶體管(雙極型晶體管、場(chǎng)效應(yīng)晶體管)

                - 可控硅(SCR、IGBT)

                - 功率器件(如MOSFET、IGBT模塊)

                - 特殊應(yīng)用器件(如高頻晶體管、射頻二極管)


                半導(dǎo)體分立器件二次篩選標(biāo)準(zhǔn)

                核心依據(jù)GJB 33A-1997第4.6節(jié)“篩選要求”,結(jié)合以下標(biāo)準(zhǔn):

                1. GJB 128A-1997:規(guī)定試驗(yàn)方法,如溫度循環(huán)(-55℃~125℃)、恒定加速度(30,000g);

                2. GJB 7243-2011:明確軍用元器件篩選技術(shù)要求;

                3. MIL-STD-750D:適用于高可靠性分立器件的國(guó)際通用標(biāo)準(zhǔn)。


                半導(dǎo)體分立器件二次篩選實(shí)驗(yàn)室


                半導(dǎo)體分立器件二次篩選方法

                1. 環(huán)境應(yīng)力篩選

                - 溫度循環(huán):-65℃~150℃快速溫變,暴露封裝缺陷;

                - 振動(dòng)/沖擊:模擬運(yùn)輸、飛行中的機(jī)械應(yīng)力,檢測(cè)結(jié)構(gòu)穩(wěn)定性;

                - 恒定加速度:驗(yàn)證器件在離心力下的抗形變能力。


                2. 電性能測(cè)試

                - 擊穿電壓(V(br)ceo、V(br)cbo):評(píng)估耐壓能力;

                - 飽和電流(Iceo、Icbo):檢測(cè)漏電流是否超標(biāo);

                - Hfe(電流放大系數(shù)):驗(yàn)證晶體管放大性能。


                3. 密封性檢測(cè)

                - 細(xì)檢漏/粗檢漏:氦質(zhì)譜法檢測(cè)封裝氣密性;

                - X射線檢查:透視內(nèi)部結(jié)構(gòu),發(fā)現(xiàn)焊接空洞或異物。


                4. 老練試驗(yàn)

                高溫反偏(125℃、反向電壓)加速老化,剔除潛在失效器件。


                元器件二次篩選報(bào)告辦理流程

                1. 提交申請(qǐng):客戶(hù)填寫(xiě)檢測(cè)需求表,提供器件型號(hào)、數(shù)量及技術(shù)要求。

                2. 方案制定:我司技術(shù)團(tuán)隊(duì)根據(jù)器件類(lèi)型和標(biāo)準(zhǔn)要求,制定篩選方案。

                3. 樣品檢測(cè):按GJB 33A-1997標(biāo)準(zhǔn)執(zhí)行篩選測(cè)試。

                4. 報(bào)告出具:檢測(cè)完成后5個(gè)工作日內(nèi)出具CNAS認(rèn)證的檢測(cè)報(bào)告(含篩選結(jié)論、數(shù)據(jù)圖表)。

                5. 結(jié)果反饋:提供報(bào)告解讀及后續(xù)改進(jìn)建議。


                電子元器件二次篩選機(jī)構(gòu)


                半導(dǎo)體分立器件的二次篩選是保障產(chǎn)品可靠性的關(guān)鍵環(huán)節(jié),尤其在軍工、航天等高風(fēng)險(xiǎn)領(lǐng)域不可或缺。通過(guò)GJB 33A-1997標(biāo)準(zhǔn)的嚴(yán)格篩選,可有效降低器件失效風(fēng)險(xiǎn),為客戶(hù)提供“零缺陷”的器件保障。

                如需了解更多檢測(cè)服務(wù)或咨詢(xún)篩選方案,歡迎聯(lián)系我們的專(zhuān)業(yè)團(tuán)隊(duì)!


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