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文章來源 : 廣東優(yōu)科檢測 發(fā)表時間：2023-09-28 瀏覽數(shù)量：
高溫試驗是晶振在高溫條件下工作一段時間后，評定高溫對晶振的電氣和機(jī)械性能的影響；或者長時間高溫存儲(不帶電)后，評定晶振的質(zhì)量穩(wěn)定性，可參照標(biāo)準(zhǔn)GJB 360B.108。
低溫試驗是長時間低溫存儲(不帶電)后，評定晶振的質(zhì)量穩(wěn)定性，以及檢測封裝中足以對晶振產(chǎn)生不良影響的殘存濕氣，即通常的露點測試，可參照標(biāo)準(zhǔn)GJB 548B.1013.1。
高低溫儲存試驗(High/Low Temperature Storage)暴露的故障來源于元器件表面和內(nèi)部的物理和化學(xué)變化，例如：密封問題，材料熱脹冷縮問題，電性能產(chǎn)生的變化等。
高溫存儲試驗：
工作溫度: 125°C±5°C; 存儲時間: 1000H±12H,不帶電; 實驗結(jié)束后24±2Hrs內(nèi)進(jìn)行電性能測試。高溫儲存試驗可以使用“電熱恒溫箱”來進(jìn)行試驗，可參考標(biāo)準(zhǔn)MIL-STD-202 Method 108。
低溫存儲試驗：
工作溫度: -55°C±5°C; 存儲時間: 1000H±12H,不帶電; 實驗結(jié)束后24±4Hrs進(jìn)行電性能測試。低溫儲存試驗可以使用“低溫試驗機(jī)”，可參考標(biāo)準(zhǔn)JIS-C7021B-12。
高溫存儲試驗：
晶體諧振器頻率降低3.5ppm左右(5max)，諧振阻抗增大3Ω左右±10%(5max); 晶體振蕩器頻率降低3.5ppm左右(5 max)。
低溫存儲試驗：
晶體諧振器頻率降低2.5ppm左右(5max)，諧振阻抗增大3Ω左右±10%(5max); 晶體振蕩器頻率降低3.5ppm左右(5 max)。
廣東優(yōu)科檢測是專注于環(huán)境與可靠性測試的第三方檢測機(jī)構(gòu)，可為企業(yè)客戶提供電子元器件環(huán)境與可靠性、安規(guī)和電性能、電磁兼容等試驗項目，本實驗室環(huán)境與可靠性試驗設(shè)備齊全且數(shù)量多，設(shè)備性能穩(wěn)定、數(shù)據(jù)可靠，可出具專業(yè)有效的檢測報告。
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